Русский/English

Высокочистые эпитаксиальные слои твердых растворов Cd-Hg-Te

ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА CdxHg1-xTe для крупноформатных матричных ИК-фотоприемных устройств, полученные газофазным осаждением из паров металлоорганических соединений

 

Эпитаксиальные слои высокочистого CdxHg1-xTe на подложках из полуизолирующего GaAs.

 

·         состав

·         толщина слоев

·         полуширина кривой качания рентгеновской дифракции

·         тип проводимости

·         концентрация и подвижность носителей заряда при 77 K

 

·         площадь активного слоя

·         разброс состава по площади, не более

x = {0,18-0,4}

3-15 мкм

2-4 угл. мин.

p-тип

(0,8-5)·1016 см-3

250-400 см2/В·с

2-4 см2

0,005