Русский/English

Симпозиум «Новые высокочистые материалы»

 

Российская академия наук
Секция наук о материалах ОХНМ РАН
Научный совет РАН
по химии высокочистых веществ
Институт химии высокочистых веществ РАН
Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского


Симпозиум
Новые высокочистые материалы,


посвященный 90-летию академика Г.Г. Девятых
и 20-летию Института химии высокочистых веществ РАН
 
Нижний Новгород,
1-2 декабря 2008 года


Информационное сообщение №1

Первого декабря 2008 года исполнилось бы 90 лет академику Григорию Григорьевичу Девятых (1918-2005) – основателю отечественной научной школы по химии высокочистых веществ, создателю и первому директору Института химии высокочистых веществ Российской академии наук.

Симпозиум Новые высокочистые материалы посвящается памяти академика Г.Г. Девятых и будет проходить 1-2 декабря 2008 года в Институте химии высокочистых веществ РАН, отмечающем в этом году свое 20-летие.

Будут обсуждаться новые результаты и  существующие проблемы в области создания, исследования свойств и применения высокочистых материалов для микро- и наноэлектроники, волоконной и силовой оптики,  оптоэлектроники.
 
НАУЧНАЯ ПРОГРАММА СИМПОЗИУМА

·    Высокочистые летучие соединения как базовые вещества (традиционные и новые);
·    Полупроводниковые материалы (элементарные и сложные полупроводники)
·    Материалы для волоконной оптики, оптоэлектроники (оксидные и неоксидные стёкла, материалы для силовой оптики, лазерные материалы, волоконные световоды);
·    Моноизотопные материалы;
·    Анализ и диагностика высокочистых материалов.

Организационный комитет симпозиума

Новые высокочистые материалы

Чурбанов М.Ф. академик, председатель (Нижний Новгород)
Гурьянов А.Н. чл.-корр., зам. председателя (Нижний Новгород)
Буланов А.Д. д.х.н. (Нижний Новгород)
Дианов Е.М. академик (Москва)
Кузнецов Н.Т. академик (Москва)
Карпов Ю.А. чл.-корр. (Москва)
Лазукина О.П. д.х.н., ученый секретарь симпозиума (Нижний Новгород)
Пархоменко Ю.Н. д.ф.-м.н.   (Москва)
Третьяков Ю.Д. академик (Москва)
Федоров В.А. д.т.н. (Москва)

Адрес организационного комитета:

Институт химии высокочистых веществ РАН
ул. Тропинина,49,
ГСП-75, Нижний Новгород,
603950, Россия
тел.  (831) 462-77-50
факс (831) 462-56-66
E-mail: symp2008@ihps.nnov.ru,
http://www.ihps.nnov.ru
Ученый секретарь симпозиума:
д.х.н. Лазукина Ольга Петровна, тел. (831) 462-96-26

Для участия в симпозиуме необходимо отправить в Организационный комитет до 15 сентября 2008 года заполненную регистрационную форму по адресу symp2008@ihps.nnov.ru

Тезисы докладов должны быть представлены до 1 октября 2008 г. в электронном и печатном (2 экз.) виде вместе с экспертным заключением о возможности опубликования в открытой печати.

Оргкомитет будет просить авторов докладов, включенных в программу симпозиума, оформить их в  виде статьи для публикации в журнале «Неорганические материалы» к началу работы симпозиума.

Рабочий язык симпозиума – русский.

Время устного выступления – 15 мин.

Пленарные доклады – до 35 мин.

Приглашенные доклады – 20 мин.

Планируется проведение стендовой сессии (размер постера – стандартный лист А0).

Информация о программе симпозиума и условиях  размещения  участников в гостиницах будет разослана в Информационном сообщении №2 и помещена на сайте  http://www.ihps.nnov.ru.

Регистрационный взнос за участие в симпозиуме не предусмотрен.

Правила оформления тезисов

Тезисы докладов объемом 1 полная страница  представляются на  имя ученого секретаря  симпозиума Лазукиной О.П. в 2-х экземплярах на листах формата А4, а также в электронном варианте в редакторе MS Word, рисунки и иллюстрации должны быть привязаны к тексту.

Место для печати ограничивается полями 2,5 см со всех сторон;  шрифт Times New Roman, размер 12, через 1 интервал; абзац начинается с красной строки (1,25 см).

НАЗВАНИЕ ТЕЗИСОВ –  ШРИФТ 14, ПОЛУЖИРНЫЙ, ЦЕНТРИРОВАН.

Фамилия и.о. авторов – шрифт 12, курсив, докладчика подчеркнуть.

Название организации (полностью), город, адрес, E-mail – шрифт 12.

Два пробела.

Основной текст тезисов – шрифт 12.

Сроки представления материалов

Завершение подачи заявок на участие

–  15 сентября 2008 г.

Завершение подачи тезисов

– 1 октября 2008 г.

Второе информационное сообщение 

– 1 ноября  2008 г.

Тезисы докладов, оформленные не по правилам и присланные с опозданием,  рассматриваться не будут.