Русский/English

Российская академия наук

Секция наук о материалах ОХНМ РАН

Институт химии высокочистых веществ РАН

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского


V Научная Школа для молодых ученых по химии и технологии высокочистых веществ и материалов,

 

посвященная 90-летию

академика Г.Г. Девятых и 20-летию Института химии высокочистых веществ РАН

 

Тема Школы:

Новые высокочистые материалы


Нижний Новгород,

1-3 декабря 2008 года


Информационное сообщение №1

Первого декабря 2008 года исполнилось бы 90 лет академику Григорию Григорьевичу Девятых (1918-2005) – основателю отечественной научной школы по химии высокочистых веществ, создателю и первому директору Института химии высокочистых веществ Российской академии наук.

V Научная Школа для молодых ученых по химии и технологии высокочистых веществ и материалов посвящается памяти академика Г.Г. Девятых и будет проходить 1-3 декабря 2008 года в Институте химии высокочистых веществ РАН, отмечающем в этом году свое 20-летие.

Школа проводится для молодых ученых и специалистов, аспирантов и студентов высших учебных заведений, желающих повысить свою квалификацию, и ориентирована на ознакомление с последними достижениями в области химии и технологии высокочистых веществ и материалов по направлениям:

 
·      Высокочистые летучие соединения как базовые вещества (традиционные и новые);
·      Полупроводниковые материалы (элементарные и сложные полупроводники)
·      Материалы для волоконной оптики, оптоэлектроники (оксидные и неоксидные стёкла, материалы для силовой оптики, лазерные материалы, волоконные световоды);
·      Моноизотопные материалы;

Анализ и диагностика высокочистых материалов.                      
Работа V Школы молодых ученых  будет совмещена с работой симпозиума

НОВЫЕ ВЫСОКОЧИСТЫЕ МАТЕРИАЛЫ
 
Руководитель Школы:
академик М.Ф. Чурбанов

Организационный комитет:
Чурбанов М.Ф.,  академик, ИХВВ РАН, председатель
Гаврищук Е.М., д.х.н., ИХВВ РАН,   зам. председателя
Буланов А.Д., д.х.н., ИХВВ РАН
Герасименко В.В., ИХВВ РАН, ученый секретарь Школы
Горшков О.Н., к.ф.-м.н., НИФТИ ННГУ
Гурьянов А.Н., чл.-корр., ИХВВ РАН
Ковалев И.Д., д.х.н., ИХВВ РАН
Крылов В.А., д.х.н., химфак ННГУ, ИХВВ РАН
Лазукина О.П.,  д.х.н., ИХВВ РАН
Моисеев А.Н., д.х.н., ИХВВ РАН
Черноруков Н.Г., химфак ННГУ
 
Возраст участников Школы:  до 33 лет

Программа  Школы включает:
·      Лекции и доклады  ведущих ученых по современным проблемам создания, изучения свойств и применения высокочистых материалов;
·      Ознакомление с  исследованиями, проводимыми в лабораториях ИХВВ РАН.

Научную сессию и конкурс работ молодых участников  в форме устных сообщений и постеров (размер постера – стандартный лист А0). Тематика работ не ограничена темой Школы и может касаться любых вопросов химии и технологии высокочистых веществ и материалов

                      Адрес организационного комитета:

Институт химии высокочистых веществ РАН
ул. Тропинина,49, ГСП-75, Нижний Новгород,
603950, Россия
тел.  (831) 462-77-50
факс (831) 462-56-66
E-mail: school 2008@ihps.nnov.ru ,
http://www.ihps.nnov.ru
Ученый секретарь Школы – 
Герасименко Вероника Всеволодовна
тел. (831) 462-96-26

Для участия в Школе необходимо отправить в Организационный комитет до 15 сентября 2008 года заполненную регистрационную форму по адресу school2008@ihps.nnov.ru. В электронном виде регистрационная форма размещена на сайте http://www.ihps.nnov.ru.

Тезисы докладов для участников научной сессии должны быть представлены до 1 октября 2008 г. в электронном и печатном (2 экз.) виде вместе с экспертным заключением о возможности опубликования в открытой печати.

Иногородних участников Школы оргкомитет обеспечивает жильем.

Проезд и питание – за счет участников Школы.

Транспорт: Проезд по г. Н. Новгороду от ж/д вокзала до микрорайона Щербинки II (конечная остановка). Маршрутные такси - 166, 66, 103, 3, автобус - 43.

Информация о программе Школы и размещении участников в гостинице будет разослана в Информационном сообщении №2 и помещена на сайте  http://www.ihps.nnov.ru.

Регистрационный взнос за участие в Школе не предусмотрен.
 
 РЕГИСТРАЦИОННАЯ ФОРМА УЧАСТНИКА

V Научной Школы для молодых ученых по химии и технологии высокочистых веществ и материалов, посвященной 90-летию академика Г.Г. Девятых и 20-летию Института химии высокочистых веществ РАН.


Тема Школы:

Новые высокочистые материалы

Фамилия, имя, отчество _____________________________

____________________________________________________

Возраст________________________________________

Ученая степень, ученое звание _______________________ ____________________________________________________

Должность _________________________________________

____________________________________________________

Место работы и служебный адрес____________________

____________________________________________________

____________________________________________________

____________________________________________________

____________________________________________________

Адрес для переписки________________________________

____________________________________________________

____________________________________________________

Телефон____________________________________________

Факс _______________________________________________

E-mail_______________________________________________

Форма участия (с докладом, без доклада) ___________

_______________________________________________

Название доклада  (для участников научной сессии)___

____________________________________________________

____________________________________________________

____________________________________________________

_____________________________________________________

Нужно ли место в гостинице _________________________                  

Правила оформления тезисов
 
Тезисы докладов объемом 1 полная страница представляются на имя ученого секретаря Школы Герасименко В.В. в 2-х экземплярах на листах формата А4, а также в электронном варианте в редакторе MS Word, рисунки и иллюстрации должны быть привязаны к тексту.

Место для печати ограничивается полями 2,5 см со всех сторон;  шрифт Times New Roman, размер 12, через 1 интервал; абзац начинается с красной строки (1,25 см).

НАЗВАНИЕ ТЕЗИСОВ –  ШРИФТ 14, ПОЛУЖИРНЫЙ, ЦЕНТРИРОВАН.

Фамилия и.о. авторов – шрифт 12, курсив, докладчика подчеркнуть.
Название организации (полностью), город, адрес, E-mail – шрифт 12.
Два пробела.
Основной текст тезисов – шрифт 12.

Сроки представления материалов

Завершение подачи заявок на участие
–  15 сентября 2008 г.

Завершение подачи тезисов
– 1 октября 2008 г.

Второе информационное сообщение 
– 1 ноября  2008 г.

Тезисы докладов, оформленные не по правилам и присланные с опозданием,  рассматриваться не будут.